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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西北某LED概念片产量的企业,因产量整个过程中运用砷化镓、电镀锌铟等III-V族氧化物,废水下含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,设计构思外理范围1200吨/日。 电镀废水物质及源头 MOCVD机清洁工作污水 :含前三基镉、前三基铟等设计合金材料单质 激光切碾磨废水处理方法 :含纳米级级金属材质小粒 塑料电镀废污水 :含铜、镍等彩石铁离子 治疗生产工艺具体步骤 研发使用"氧化物破络+天价属收集+膜分割"组合公式工艺流程: 预解决象限 :添加次氯酸钠溶液转化有机物金属质络合物 重要工作模块 : 用DTCR血本属收集剂变成不无水磷酸氢螯合物 超滤膜设计(UF)挤占大分子环境破坏物 反融入(RO)脱盐率>98% 生活污水处理单无 :离心分离脱水现象后改由危险废物操作咨询中心应对 决定体验 经三是方检侧: 总砷含碳量:0.05mg/L(国家标准下载0.5mg/L) 镉浓度:0.01mg/L(国家标准0.1mg/L) 水使用率:75% 运动成本价:3.8元/吨水

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